兩大韓系DRAM廠三星 海力士將巨幅投產1Gb顆粒

台DRAM廠恐陷泥沼 兩大韓系DRAM廠三星 海力士將巨幅投產1Gb顆粒 宣稱第四季均將拉升1Gb產能至30％-40％　2008年下半年1Gb將成公司主流　較原計畫足足快上一年　台廠投愈多5

吳宗翰／台北 2007/09/14

　目前韓國兩大DRAM廠三星電子(Samsung)以及海力士（Hynix）計畫自2007 年的第四季起開始將其自1Gb的DRAM佔總體產量的比重由目前的10％大幅拉升至30％-40％，且預期自2008年下半年起1Gb的 DRAM顆粒可望將成為市場主流規格，而這樣的投產進度可較原先市場預期提前了1年左右，不過據DRAM廠表示，到目前為止台系DRAM廠商尚未開始真正對量產1Gb的DRAM做準備，也因此未來台系如果投產更多512Mb的DRAM顆粒，對於台系DRAM廠恐將身陷泥沼。

據DRAM廠表示，目前三星電子在量產1Gb的DRAM顆粒上進度相對順暢，據了解，三星電子已計畫在2007年底將68奈米製程技術的1Gb的DRAM產出量，提升到佔總體產能比重，由現階段的10％-15％激增至30％-40％。而據了解到了明年上半年，三星電子產出1Gb的DRAM的產能比重將進一步再拉升至50％以上，而屆時其報價將會低於2顆512Mb的DRAM的價格。

而無獨有偶的是來自海力士方面的消息也進一步指出，海力士已計畫到今年底將其66奈米製程1Gb的DRAM產能佔總體產量的比重由目前的10％提高至40％，這樣的看法可說與三星電子不謀而合，而事實上兩大韓系DRAM廠之所以如此積極，最主要目的還是希望藉由這樣做法，拉大與其餘競爭對手差距。

對於韓系DRAM廠如此積極投產1Gb的DRAM顆粒，台系DRAM廠指出到目前為止台系DRAM廠確實還是以生產512Mb的DRAM顆粒為大宗，至於1Gb的DRAM顆粒則還是大多僅限於試產階段，也就是說一旦PC大廠認為採用2顆512Mb的DRAM顆粒成本遠不如一顆的1Gb的DRAM，到時則無法避免捨棄512Mb改大量採用1Gb，而到時台系DRAM廠的512Mb的DRAM顆粒恐將淪為『便宜貨』。

不過日前集邦科技表示，上半年DRAM顆粒價格大跌，帶動OEM電腦大廠紛紛將下半年2GB的DRAM模組搭載率提高，預期可達30％以上水準，也因此將有助於改善DRAM市場供過於求的情況，下半年廠商的獲利希望主要來自成本的下降而非價格的上揚。下半年台系廠商70奈米的進度在下半年也更加速，包括力晶下半年將進行70奈米製程技術1Gb顆粒的量試，預估若DRAM廠的1Gb的 70奈米製程技術良率穩定後，1Gb顆粒四美元的價格獲利仍可在25％以上。供給量。

而事實上先前市調機構iSuppli也曾經指出，2007年第四季全球1Gb的DRAM顆粒佔總體DRAM出貨量的比重將由2007年第一季1.8％攀升至9％-10％，並於2008年第四季快速提高揚至約29％-30％。iSuppli原先預期DRAM市場下一次的主流規格轉換時點將落在2009年下半年，而這樣的進度對於台系DRAM廠來說將是相當程度威脅。

資料來源:電子時報 http://www.digitimes.com.tw/