NAND Flash產業50奈米挑大樑 4Q佔產出上看30%

NAND Flash產業50奈米挑大樑 4Q佔產出上看30%
三星、東芝積極量產中 英特爾、海力士即將大量供貨

連于慧／台北 2007/10/04

　2007年NAND Flash在50奈米製程技術上，進度相當緩慢，主要是因為之前NAND Flash大廠在轉換製程過程中，陸續出紕漏，使得這次各廠轉製程的態度上更加小心翼翼。目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)的50奈米製程已開始量產中，海力士(Hynix)的57奈米和英特爾(Intel)的50奈米製程的MLC(Multi-Level Cell)也將在第4季大量供貨，預計第4季整個市場上，50奈米製程的比重可超過25%，2008年第1季會是正式挑大樑的時間點。

2007年NAND Flash製程前進的速度相當慢，針對50奈米製程的產品，NAND Flash大廠大量供貨的時間點一延再延，在供給受限下，也使得之前NAND Flash價格一路水漲船高，目前東芝的56奈米和三星的50奈米製程已開始陸續交貨，但數量仍是有限，50奈米製程的產品佔整體NAND Flash供貨上，大概接近20%，預計第4季可超過25%，甚至超過30%比重。

目前NAND Flash供給雖然已逐漸舒緩，但以眾家廠商來看，東芝的供貨情況仍舊是處於小幅吃緊狀態，主要是因為東芝有一半NAND Flash產能分給快閃記憶卡大廠新帝(SanDisk)，且東芝的訂單以內需和合約市場為主，客源相當穩定。

此外，由於多晶片封裝MCP(Multi-Chip Packaging)的毛利率較高，且手機市場應用和需求皆相當多元化，因此之前東芝也分配大部分的產能給MCP產品，使得東芝的NAND Flash供給一直相較三星、海力士等NAND Flash大廠，情況較為吃緊。

海力士之前在60奈米製程世代，也遭遇不少瓶頸，目前將部分研發心力放在57奈米製程技術上，雖然SLC(Single-Level-Cell)產品已開始量產，但MLC製程晶片預計要到11月正式開始量產，屆時海力士也將正式步入50奈米製程世代。

整體來看，50奈米製程的量產時間點，從第2季一直延宕至今，第4季已逐漸確定量產的趨勢，且佔整體市場的比重都可超過25%，這也是歷年來的製程演進中，花時間最久的一次，凸顯NAND Flash大廠量產投片態度上的小心翼翼，接下來在40奈米製程世代，也將是一大考驗之一。



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